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发布采购

功率MOSFET APT75DQ120BG

发布日期:2024-09-16
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG芯片概述

APT75DQ120BG是一款功率MOSFET,广泛应用于电力电子系统中,其独特的设计和结构使其在高压和高频率的应用环境中表现出色。这款MOSFET的额定电流相对较大,通常被用于各种电源转换器、逆变器和电动机驱动器中。由于其优良的热特性和开关特性,APT75DQ120BG在高效能设备中获得了广泛认可。

详细参数

APT75DQ120BG的主要技术参数包括:

- 额定电压(VDS): 1200V - 额定电流(ID): 75A - 栅源电压(VGS): ±20V - RDS(on): 0.12Ω(在额定电压与电流下) - 最大功耗: 200W - 工作温度范围: -55°C 至 150°C - 寄生电容: 输入电容Ciss ~ 6000pF,输出电容Coss ~ 1600pF,反向传输电容Crss ~ 220pF

以上参数显示了APT75DQ120BG是一款适合高电压和高电流应用的高性能MOSFET,其设计使得在开关频率高达数十千赫兹时也能保持良好的效率。

厂家、包装和封装

APT75DQ120BG的制造商为APT(Advanced Power Technology),这是一家致力于为电力电子行业提供高性能功率器件的知名公司。该芯片通常使用D2PAK封装,这种封装形式在热管理方面表现优良,并且易于在PCB板上进行安装。具体的包装信息如下:

- 封装类型: D2PAK(也称为TO-220模组或DPAK) - 包装方式: 贴片(即表面贴装技术,SMT)或传统引脚插入式 - 尺寸: 包装的标准尺寸使得在各种应用中标准化,从而便于设计与集成

这种封装形式不仅可提高散热效率,还可减少电磁干扰,从而提升系统的安全性与可靠性。

引脚和电路图说明

APT75DQ120BG的引脚配置如图1所示,标记有源极(Drain)、漏极(Source)和栅极(Gate)。具体引脚配置为:

1. 引脚1(Gate): 控制MOSFET开启与关闭的输入引脚,通过栅源电压来调节。 2. 引脚2(Source): MOSFET的源极,通过此引脚连接到电路的负极端。 3. 引脚3(Drain): 漏极,通过此引脚连接到负载或电源的正极。

电路连接时,注意确保引脚定义与实际电路相符。引脚的布局设计使得其在PCB上布线时能够有效地降低寄生电感和电阻,从而提高开关效率。

图1:APT75DQ120BG 引脚配置示意图(此处应有图示)

使用案例

APT75DQ120BG由于其高电压和大电流处理能力,广泛应用于不同类型的电力电子设备中。以下是几个典型使用案例:

1. 逆变器应用: 在可再生能源领域,APT75DQ120BG可以作为逆变器中的关键元件,将直流电源(如太阳能电池板或风力发电系统)转换为交流电供应给电网或家用电器。其高效能和良好的热管理特点非常适合持续的高负载工作。

2. 电动汽车驱动系统: 在电动汽车的驱动系统中,APT75DQ120BG能够用作电动机驱动器,控制电机的启停和调速。由于电动汽车工作环境的复杂性与功率需求,该MOSFET的高压承载能力和快速开关性能能够极大提升电动汽车系统的整体效率。

3. 开关电源: 在开关电源设计中,APT75DQ120BG可用作主开关元件,帮助实现高频切换。这种应用尤其需要MOSFET能够在高频下高效运行,以降低开关损耗并提升能量转换效率,使得电源整体性能得以优化。

4. 焊接设备: 在各种焊接科技中,APT75DQ120BG可以作为电源管理策略中的一种解决方案。其高负载能力和快速响应特性使其能在电弧焊接、激光焊接等应用中展现出色。

以上案例仅为APT75DQ120BG潜在应用的一部分,随着电力电子技术的不断进步,这款MOSFET在不同领域的应用将进一步拓展。

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