高压N沟道场效应晶体管（MOSFET） FQB6N90TM

芯片FQB6N90TM概述

FQB6N90TM是一款高压N沟道场效应晶体管（MOSFET），设计用于在各种电子设备和电路应用中提供优良的开关性能和低电阻特性。其工作电压范围高达900V，使其在高压应用中的表现尤为突出。FQB6N90TM的内部结构使其在承受高频率和高功率时具备优异的耐受能力，广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域。

芯片FQB6N90TM的详细参数

该MOSFET的主要参数包括：

- 最大漏极源极电压 (V_DS): 900V - 最大漏极电流 (I_D): 6A - 最大功耗 (P_D): 94W - 最大栅极源极电压 (V_GS): ±20V - 门至源电容 (C_GS): 1600 pF - 漏极至源电阻 (R_DS(on)): 0.93Ω（在V_GS = 10V时） - 开启时间 (t_on): 60ns - 关断时间 (t_off): 200ns - 工作温度范围: -55°C至+150°C

以上参数使得FQB6N90TM在电力转换和控制方面具有极高的效率和可靠性。

芯片FQB6N90TM的厂家、包装及封装

FQB6N90TM由国际知名的半导体制造公司Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该芯片一般采用TO-220封装，这是一个金属封装，能够有效散热，适用于高功率应用。由于其良好的热管理特性，TO-220封装在市场上广泛使用，适合用于各种需要散热控制的场合。

关于包装，FQB6N90TM 在运输时一般采用EIA-481标准包装，这种包装方式可有效防止在运输及存储过程中的机械损伤。同时，该包装设计也有助于在组件使用前的存储和管理。

芯片FQB6N90TM的引脚和电路图说明

FQB6N90TM通常具有三个引脚，分别为源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。其引脚排列如下：

1. 引脚1 (Gate): 控制陷阱电流的引脚，连接至控制电路。 2. 引脚2 (Drain): 负载连接的引脚，从此处流出电流。 3. 引脚3 (Source): 连接至电源的地或负极。

以下是FQB6N90TM的基本电路图说明。其电路图中，MOSFET通常与电源和负载相连，形成一个开关电路。在开启状态时，通过栅极施加正电位（通常为10V），使得MOSFET导通，完成负载电流的传导。在关闭状态下，不施加到栅极的电压将导致MOSFET关断，从而阻止电流流动。

此电路图可用来实现基本的开关功能，适用于 PWM（脉宽调制）控制等应用。

芯片FQB6N90TM的使用案例

FQB6N90TM广泛应用于电源适配器和开关电源中，主要用于控制高压下的负载。如在一个典型的DC-DC转换器中，FQB6N90TM充当开关元件，通过调节开关的频率和占空比，以实现对输出电压的精确控制。

例如，在电动机驱动系统中，FQB6N90TM也可用作开关元件，通过PWM信号控制其开关，可以高效地控制电机的速度和扭矩。此类应用不仅提高了电机的运转效率，也降低了功耗，提升了整机的运行稳定性。

另一个实际应用案例则是在光伏逆变器中。随着可再生能源应用的不断推广，FQB6N90TM因其高压特性和低导通电阻，在光伏发电系统中作为逆变器的主要开关元件，成功将太阳能转换为直流电或交流电。

在LED驱动器中，FQB6N90TM也可以作为调光开关使用，通过其快速的开关特性，灵活地控制LED的光强度和效果。此外，FQB6N90TM在升压转换器中也有广泛用途，能够在较低电压下提升输出，以满足特定电流和电压需求。

进一步讲，在电动车辆的电源管理系统中，该MOSFET能够处理高电压和高电流，确保系统的稳定性和安全性。这使得FQB6N90TM不仅在传统的电源应用中具有竞争力，甚至在新兴的电动汽车和新能源领域也占有一席之地。

综上所述，FQB6N90TM凭借其高压特性和卓越性能，成为了众多电子设备和电路设计中的关键元件，显著推动了技术进步和应用创新，为现代电子科技的发展做出了重要贡献。