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高低侧驱动芯片 IR2114SSTRPBF

发布日期:2024-09-17
IR2114SSTRPBF

芯片IR2114SSTRPBF概述

IR2114SSTRPBF是一款高低侧驱动芯片,专为双极性功率MOSFET和IGBT的驱动设计。其主要功能是在高频开关应用中提供高驱动电压,以确保高效的开关操作。该芯片广泛应用于电机驱动、逆变器、开关电源等领域。IR2114SSTRPBF通过简单的电路设计和稳健的性能让设计工程师能够更高效地实现电力转换与控制。

芯片IR2114SSTRPBF的详细参数

IR2114SSTRPBF的主要技术参数包括:

- 电源电压范围:高侧和低侧驱动供电电压为10V至20V。 - 输出电流:可以提供高达2A的输出电流,这使得它可以快速地驱动大功率的MOSFET或IGBT。 - 输入电压范围:逻辑输入电压范围在0V到逻辑电源电压之间,适用于TTL和CMOS兼容的输入信号。 - 工作温度范围:该芯片的工作温度范围为-40°C到125°C,保证在严苛环境下仍能正常运行。 - 开关频率:能够支持高达200kHz的开关频率,适用于中高频的变换器设计。 - 安全特性:集成了缺相保护功能和过温保护功能,增加了应用的安全性。

厂家、包装、封装

IR2114SSTRPBF是由国际整流器公司(International Rectifier,现为英飞凌的一部分)制造。在包装形式上,IR2114SSTRPBF通常采用SOP-16封装,这种封装方式有助于小型化电路设计并增加了热量散发能力。SOP-16封装的设计使得在设计布局时能够更好地利用PCB空间,提高整体性能和效率。

引脚和电路图说明

IR2114SSTRPBF的引脚布局非常简洁,主要包括以下几个重要引脚:

- VB: 高侧驱动电源引脚,通常连接一个电源电压。 - VS: 高侧驱动器的源引脚,与高侧MOSFET的源连接。 - VCC: 低侧驱动器的电源引脚,为低侧MOSFET提供供电。 - HO: 高侧输出引脚,驱动高侧MOSFET的门极。 - LO: 低侧输出引脚,驱动低侧MOSFET的门极。 - INHI: 用于高侧驱动的输入信号。 - INLO: 用于低侧驱动的输入信号。 - COM: 公共端,通常连接到地。 - SD: 关断输入,连接到控制信号。

下图简单展示了IR2114SSTRPBF的引脚配置(示意图,具体引脚功能和连接见相应数据手册):

SOP-16引脚图 +-------------------+ 1 | VB LO 16 | VCC 2 | VS COM 15 | HO 3 | INHI INLO 14 | --- 4 | --- --- 13 | --- | --- --- 12 | SD +-------------------+

使用案例

在电机控制中,IR2114SSTRPBF作为驱动器非常有效。对于直流电机驱动,设计者通常使用两个MOSFET构成一个H桥,IR2114SSTRPBF可以用来控制上下两个MOSFET。在这种情况下,控制逻辑将在微控制器中形成,与IR2114SSTRPBF的INHI和INLO引脚连接,通过控制高低侧MOSFET的开关实现电机的正转、反转及停止。

以下是一个典型的直流电机驱动电路案例:

1. 把IR2114SSTRPBF的VB和VS引脚连接到高侧MOSFET的源端,并为其提供适当的电源电压。 2. 低侧MOSFET的源和地连接到COM引脚,确保电路的稳态工作。 3. INHI引脚接入微控制器的PWM产生信号,用以控制高侧MOSFET的导通与关断。 4. INLO同样接入微控制器PWM信号,以便控制低侧MOSFET。

通过这种方式,设计者能够实现精准的电机转动速度调节,使电机能够在不同操作条件下表现出优越的性能。

在逆变器设计中,IR2114SSTRPBF也展现出其独特的优越性。逆变器通常要求在高功率应用中快速、稳定地开关,IR2114SSTRPBF能够迅速切换其高低侧MOSFET,确保逆变器效率最大化。

总体而言,IR2114SSTRPBF能够以其优越的设计和性能,满足多种应用需求,在电子及电气系统中发挥重要作用。这使其成为电源管理和电动控制系统中的重要组件。

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