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发布采购

由国际整流器公司(International Rectifi IRFR4105TR

发布日期:2024-09-20
IRFR4105TR

芯片IRFR4105TR概述

IRFR4105TR是一款由国际整流器公司(International Rectifier)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),其专门设计用于支持高频和高功率应用。该芯片采用的是N沟道结构,因而具有良好的导电性能和高效的热管理能力。IRFR4105TR非常适合用于电源转换器、马达驱动器和其他要求高效开关的电子电路中。在电子设计中,MOSFET是经过数学和物理的深度优化后的元件,具备快速开关速度和极低的导通阻抗,这使得IRFR4105TR成为现代电源管理领域中不可或缺的组件之一。

芯片IRFR4105TR的详细参数

IRFR4105TR的主要参数包括如下几个方面:

1. 最大漏极-源极电压(V_DS):该参数为55V,指的是MOSFET在关断状态时能够承受的最大电压,这个特性决定了其在高压应用中的可行性。

2. 最大漏极电流(I_D):IRFR4105TR在25℃的环境温度下,能承受的最大连续漏极电流为110A,这使其适用于高功率场合。

3. 导通电阻(R_DS(on)):在V_GS = 10V时,导通电阻为9.5mΩ,这意味着在通断状态下所消耗的功率非常小,提高了系统的整体能效。

4. 输入电容(C_iss):该参数为2700pF,影响开关过程中的响应时间。

5. 开关时间:IRFR4105TR的开关时间约为60ns,这确保了它在高频应用中的性能,使得设计时可以选择更高的工作频率以提高电能转换效率。

6. 工作温度范围:提供广泛的环境适应性,工作温度范围为-55℃到+170℃,确保在各种苛刻的环境中仍能稳定运行。

这些参数共同构成了IRFR4105TR的使用价值,使其能够应用于不同的电源管理方案。

制造商、包装与封装

IRFR4105TR由国际整流器公司(International Rectifier, IR)制造。作为行业内较为知名的厂家之一,IR在功率半导体领域拥有丰富的经验和技术积累。该芯片的封装类型为TO-220,这种封装不仅使得该芯片能够承载较高的功率,还具有良好的散热性能。

在包装方面,IRFR4105TR通常以散装或卷带(Tape & Reel)提供,结合不同的需求场景,用户能够选取合适的方式进行采购。这种灵活的包装方式有效降低了生产流程中的剩余材料浪费,同时还提高了自动贴片技术的适应性。

引脚与电路图说明

IRFR4105TR封装为TO-220,具有三根引脚。它们的功能如下:

1. Gate(G):该引脚用于控制MOSFET的开关状态。当该引脚施加特定的驱动电压时,器件将从关闭状态切换至导通状态。

2. Drain(D):漏极引脚负责将电流导出。它连接至负载的一侧,承载了主电流。

3. Source(S):源极引脚用于电流的接收。与地或者电源的负极连接。

电路图中,通常会在大功率应用中看到IRFR4105TR与电感、电容器和其他功能元件共同构成电源转换器,以形成完整的供电路径。

使用案例

IRFR4105TR非常适合用于开关电源(SMPS)和电机控制电路。在开关电源中,IRFR4105TR能够高效地控制功率的流动,常被用在DC-DC转换器的拓扑结构中。其低的导通电阻和快速的开关时间使得整个电源在高频下工作时仍能保持较低的功耗。

另一个使用案例是电动工具或消费电子设备中的电机驱动。这类应用要求MOSFET具备能够承受高压和高电流的特性,同时也要求其开关速度快,以实现更精确的转速控制。通过与微控制器结合,IRFR4105TR可以形成高效的PWM(脉宽调制)电动机驱动系统,以优化电机的能源使用效率并提高其响应速度。

在电动汽车的电源管理中,IRFR4105TR同样扮演着重要角色,负责对电池组进行有效的能量转换和控制。这种应用要求极高的效率和可靠性,IRFR4105TR的高耐压和低导通电阻特性确保了其在瞬态条件下的稳定表现,从而满足电动汽车对电源系统的严苛要求。

此外,IRFR4105TR还被应用于各种工业设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和机器人控制单元中,帮助实现高效的电源管理。

总的来说,IRFR4105TR在多种电源和驱动系统中展现了其极大的灵活性和优势,成为电子设计师们施工电路时的重要选择。

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