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发布采购

功率MOSFET(场效应晶体管) P10NK60Z

发布日期:2024-09-18
P10NK60Z

芯片P10NK60Z的概述

P10NK60Z是一款功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于开关电源和各种高频开关电路。这种器件利用电压控制电流,具有高效率、快速开关和高耐压等显著优点。P10NK60Z的最大承受电压达到600V,额定电流为10A,适用于需要处理高电压和大电流的场合。

芯片P10NK60Z的详细参数

1. 电气特性: - 最大漏极到源极电压(V_DS): 600V - 最大漏极电流(I_D): 10A - 最大脉冲漏极电流(I_D,pulse): 30A - 门极电压(V_GS): ±20V - 漏源饱和电压(V_DS(on)): 2V @ I_D = 10A - 输入电容(C_iss): 2.2nF @ V_DS = 25V - 输出电容(C_oss): 1.5nF @ V_DS = 25V - 反向恢复时间(t_rr): 30ns

2. 热特性: - 最大结温: 150℃ - 封装散热能力: 功率损耗大约为25W

3. 机械特性: - 封装形式:TO-220 - 封装尺寸:15.24mm x 10.16mm x 4.57mm

4. 工作条件: - 工作温度范围:-55℃到+150℃ - 存储温度:-55℃到+150℃

芯片P10NK60Z的厂家、包装、封装

P10NK60Z一般由多家半导体制造商生产,其中较为知名的有STMicroelectronics(意法半导体)和Infineon等。它通常采用TO-220封装,这种封装具有较好的散热性能和适用于通过插入式安装(通过PCB孔焊接)来降低热阻。

芯片P10NK60Z的引脚和电路图说明

P10NK60Z的引脚配置如下:

1. 引脚1(Gate / G):门极,控制MOSFET的开关状态。需要外部电路对其施加一定的电压。 2. 引脚2(Drain / D):漏极,电流从漏极流向源极。在开启状态下,漏极与源极间形成低阻抗通路。 3. 引脚3(Source / S):源极,电流返回的通路,并且通常连接地。

电路图示例: +V_D | | D |---------+ | | | Load | | G | Switch | | +----+----+ S | GND 此电路示例演示了P10NK60Z用于一个简单的开关电源控制电路。可以通过调节Gate引脚的电压来控制Leakage(漏极)和Source(源极)之间的开关动作。

芯片P10NK60Z的使用案例

在工业应用中,P10NK60Z被广泛用于电机驱动器、开关电源和LED驱动器等场合。以下是几个具体的应用案例。

1. 开关电源设计

在开关电源电路中,P10NK60Z可作为开关器件进行高频开关。其800V的耐压使其适合高电压输入的电源应用。如一个150W的开关电源设计中,P10NK60Z被用作主开关元件,通过PWM调制控制其开关以提高工作效率。由于其低V_DS(on)特性,能显著降低开关损失和热量产生。

2. 电机驱动器

使用P10NK60Z的H桥电路可用于控制直流电机的转动方向和速度。在H桥结构中,通过控制三相交流电源的开关,可以精确调节电机的转速,广泛应用于电动工具、电动车辆及其他工控设备。

3. LED驱动电路

在LED驱动电路设计中,P10NK60Z可用作PWM调光控制元件。其高电流容量和快速响应特性允许LED光源根据应用需求进行精确亮度调节。通过调整门极驱动信号的占空比,可以实现LED的无闪烁亮度控制,适用于显示屏、舞台灯光等场景。

4. 音频放大器

在高功率音频放大器中,P10NK60Z可以用于输出阶段的推挽配置,以提供足够的电流给负载(如扬声器)。其快速开关特性和低饱和电压保证了音频信号的清晰度和还原度,适用于高保真音响系统。

通过这些应用案例,可以看到P10NK60Z在高压、高功率领域的广泛应用,其良好的性能使其成为众多电子设计中的核心组件。随着科技的发展,P10NK60Z在更广泛的领域有着潜在的应用前景。

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