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发布采购

由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 STGBL6NC60DT4

发布日期:2024-09-18
STGBL6NC60DT4

STGBL6NC60DT4 芯片概述

STGBL6NC60DT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET。这种器件主要用于高效能电源管理和工业应用,具备高的耐压(选择60V)和优良的导通电阻表现。它的设计使其能够在高温和高电压环境下工作,适合在开关电源、DC-DC转换器及电机驱动应用中被广泛使用。

STGBL6NC60DT4 采用了最新的功率MOSFET技术,以实现更高的能效和更低的热量产生。其特性使设备的运行效率大幅提升,减少了功耗并延长了设备的使用寿命。对于电力工程师而言,这种器件无疑是当今高性能电源解决方案中不可或缺的一部分。

详细参数

STGBL6NC60DT4 的主要参数包括:

- 最大漏极-源极电压(V_DSS): 60 V - 最大门极-源极电压(V_GS): ±20 V - 漏极电流(I_D): 6 A - 导通电阻(R_DS(on)): 0.9 Ω(@ V_GS = 10 V) - 栅极阈值电压(V_GS(th)): 2 V 至 4 V - 通断速率: 适用于高速开关应用 - 结温范围: -55 ℃ 至 150 ℃ - 封装类型: TO-220

这些参数提供了芯片在各种工作条件下的表现,尤其是在开关电源应用中,能帮助设计师做出更明智的选择。

厂家、包装与封装

STGBL6NC60DT4 由意法半导体(STMicroelectronics)提供,这家公司成立于1987年,是全球最大的半导体制造商之一,专注于为消费电子、通讯、计算和汽车市场提供创新的解决方案。

该器件采用 TO-220 封装,这种封装形式兼具良好的散热性能和装配简便性,适合高功率应用。TO-220 封装的特点使得该芯片在散热性能上表现优异,适合在各种行业中作为功率驱动元件使用。通常情况下,STGBL6NC60DT4 以散装或托盘的形式出售,便于客户按照需要进行采购和使用。

引脚和电路图说明

STGBL6NC60DT4 的引脚布局如下:

1. 引脚 1 - Gate (G): 负责控制MOSFET导通与关断的信号输入。 2. 引脚 2 - Drain (D): 主要的电流输出端,连接到负载。 3. 引脚 3 - Source (S): 连接到电源的负极。

在电路图中,STGBL6NC60DT4 通常与其他组件共同构成完整的电源管理电路。例如,在一个简单的开关电源电路中,可使用这个 MOSFET 作为主要的开关元件。其工作原理是在适当的时机打开和关闭,以控制电流的流向和负载的功率输出,从而有效地管理电子设备的能耗。

使用案例

STGBL6NC60DT4 在实际应用中有多种形式的使用案例,以下是几个典型的例子:

1. 开关电源(SMPS): 在开关电源设计中,STGBL6NC60DT4 可用作主要的开关元件,帮助实现高效的能量转换。其低导通电阻使得在工作时的功耗降至最低,增加了整个电源电路的效率。设计师通常会将其与适当的驱动电路结合,以确保快速的开关响应和稳定的工作状态。

2. 直流电机驱动: STGBL6NC60DT4 同样适用于电机控制电路。在直流电机驱动中,MOSFET 可以用于快速反转电流,以控制电机的启动、停止及转向。通过 PWM(脉宽调制)信号控制该MOSFET,可以精确地调节电机的转速,使其在工业自动化和机器人技术中具有广泛的应用。

3. LED驱动电路: LED灯具的驱动需要高频的开关,而STGBL6NC60DT4的优良性能使其可在LED驱动电路中有效发挥作用,确保LED在不同亮度下的稳定运行。

4. 电源管理集成电路: STGBL6NC60DT4 可以与其他电源管理集成电路(PMIC)结合应用,以实现更高效的电源调节和管理。这些电路可以用于家庭自动化、智能手机及其他高科技产品中,以优化其能耗和提升性能。

通过结合不同的电路设计,STGBL6NC60DT4能够满足现代电子设备对能效和可靠性的高要求。

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